1W 850nm 高功率表面射型激光器芯片

特 性
◆ 功率转换效率高：43%
◆ 波长：850奈米
◆ 芯片规格：1000x1000 ± 15μm
◆ 芯片厚度：150 ± 10μm
◆ 驱动电流：1.2 A
◆ 输出功率：1W
◆ 按照客户需求进行其他配置 

产品型号

应用

传输速率

功率

波长

温度(°C)

产品样本

HP24-VDC-0850-1

移动传感器/ 手势/光电传感器/光电编码器/3D 传感器

NA

0.8-1.2 mW

840-860 nm

-40-85